一种高荧光量子产率碳点的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810236945.8
IPC分类号：G01N21/64;G01N33/52
申请日期：
2008-12-19
申请人：
武汉大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高荧光量子产率碳点的制备方法
申请号	CN200810236945.8	申请日期	2008-12-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-05-13	公开/公告号	CN101430283
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/64 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/64 荧光；磷光〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;4;;;G;0;1;N;3;3;/;5;2查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌珞珈山变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	庞代文;赵巧玲;张志凌
代理机构	武汉华旭知识产权事务所	代理人	刘荣

摘要

本发明公开了一种高荧光量子产率碳点的制备方法，其步骤是：将表面带羧基的荧光碳点真空干燥或冷冻干燥，以烷烃链含碳原子数2-6个的二胺基烷烃为修饰剂，加热回流至修饰完全，然后通过旋转蒸发或萃取的方法除去多余修饰剂，即可制得二胺基烷烃修饰的碳点。本发明方法使碳点的荧光量子产率大大提高，由修饰前的1.2％提高到了5.5～7.1％，且本方法操作简单，成本低，在一般化学实验室均能完成，易于推广。修饰后的碳点溶于水，已成功地用于细胞成像。该方法在生物标记领域具有广阔的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供