首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010241036.0
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78;H01L29/06
申请日期：
2010-07-29
申请人：
中国科学院微电子研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件结构及其制造方法
申请号	CN201010241036.0	申请日期	2010-07-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-08	公开/公告号	CN102347234A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	钟汇才;梁擎擎
代理机构	北京市立方律师事务所	代理人	马佑平

摘要

本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；嵌入所述第一绝缘层和半导体衬底形成浅沟槽隔离；嵌入所述第一绝缘层和所述半导体衬底形成条状凹槽；在所述凹槽内形成沟道区；形成所述沟道区上的栅堆叠线以及所述沟道区两侧的源/漏区。本发明的实施例适用于半导体器件的制造。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供