固态成像设备、固态成像设备的制造方法及电子设备

1.一种固态成像设备，包括：
光电转换部分，产生与接收的光量对应的信号电荷；以及
多个像素晶体管，读取在该光电转换部分中产生的信号电荷并且包括放大晶体管，该放大晶体管由放大栅极电极、高浓度杂质区域和低浓度杂质区域形成，该放大栅极电极形成在基板上，该高浓度杂质区域形成在该放大栅极电极的漏极侧的基板区域中，该低浓度杂质区域形成为具有比该高浓度杂质区域低的杂质浓度且形成于该放大栅极电极的源极侧的基板区域。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中在该放大栅极电极的源极侧，形成为具有比该低浓度杂质区域高的杂质浓度的高浓度杂质区域形成在与该放大栅极电极隔开且与该低浓度杂质区域连续的的基板区域中。
3.根据权利要求2所述的固态成像设备，其中在该多个像素晶体管当中，复位晶体管包括在该基板上形成的复位栅极电极和形成在该复位栅极电极的源极侧和漏极侧的基板区域中的高浓度杂质区域。
4.根据权利要求3所述的固态成像设备，其中在该多个像素晶体管当中，选择晶体管包括形成在该基板上的选择栅极电极、形成在该选择栅极电极的源极侧和漏极侧的基板区域中的高浓度杂质区域以及在该选择栅极电极与该选择栅极电极的源极侧和漏极侧的各高浓度杂质区域之间的基板区域中形成的低浓度杂质区域，低浓度杂质区域形成为具有比高浓度杂质区域低的杂质浓度。
5.根据权利要求4所述的固态成像设备，其中该放大晶体管的源极侧的高浓度杂质区域也用作该选择晶体管的漏极侧的高浓度杂质区域。
6.根据权利要求5所述的固态成像设备，其中为每个像素提供两个放大晶体管，并且该两个放大晶体管中的一个放大晶体管的源极侧的高浓度杂质区域也用作该选择晶体管的漏极侧的高浓度杂质区域，而另一个放大晶体管的漏极侧的高浓度杂质区域也用作该复位晶体管的漏极侧的高浓度杂质区域。
7.根据权利要求4所述的固态成像设备，其中为每个像素提供两个放大晶体管，并且该两个放大晶体管中的一个放大晶体管的源极侧的高浓度杂质区域也用作另一个放大晶体管的源极侧的高浓度杂质区域，而另一个放大晶体管的漏极侧的高浓度杂质区域也用作该复位晶体管的漏极侧的高浓度杂质区域。
8.一种固态成像设备的制造方法，该固态成像设备包括由光电转换部分和多个像素晶体管形成的多个像素，该光电转换部分产生与入射的光量对应的信号电荷，该多个像素晶体管读取在该光电转换部分中产生的信号电荷，该方法包括：
在基板上形成该多个像素晶体管的栅极电极；
形成抗蚀剂掩模，，该抗蚀剂掩模覆盖该多个像素晶体管当中的放大晶体管的放大栅极电极的漏极侧的基板区域，且至少露出该放大栅极电极的源极侧的基板区域；
采用该抗蚀剂掩模通过离子注入导电类型与该基板的导电类型相反的杂质而形成低浓度杂质区域；
通过去除该抗蚀剂掩模而在该栅极电极的侧部形成侧壁；以及
通过将导电类型与该基板的导电类型相反的杂质离子注入到该多个像素晶体管的栅极电极的源极侧和漏极侧的基板区域中而形成高浓度杂质区域，高浓度杂质区域是杂质浓度高于低浓度杂质区域的杂质区域。
9.根据权利要求8所述的固态成像设备的制造方法，其中该抗蚀剂掩模形成为覆盖复位晶体管的源极侧和漏极侧。
10.根据权利要求9所述的固态成像设备的制造方法，其中该抗蚀剂掩模形成为露出选择晶体管的源极侧和漏极侧。
11.一种电子设备，包括：
光学透镜；
固态成像设备，包括光电转换部分和多个像素晶体管，该光电转换部分产生与接收的光量对应的信号电荷，该多个像素晶体管读取在该光电转换部分中产生的信号电荷并且包括放大晶体管，该放大晶体管由放大栅极电极、高浓度杂质区域和低浓度杂质区域形成，该放大栅极电极形成在基板上，该高浓度杂质区域形成在该放大栅极电极的漏极侧的基板区域中，该低浓度杂质区域形成为具有比高浓度杂质区域低的杂质浓度且形成在该放大栅极电极的源极侧的基板区域中；以及
信号处理电路，处理从该固态成像设备输出的输出信号。

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