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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

非易失性半导体存储器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810788699.0
  • IPC分类号:H01L27/11521;G11C16/10;G11C16/26
  • 申请日期:
    2018-07-18
  • 申请人:
    长鑫存储技术有限公司
著录项信息
专利名称非易失性半导体存储器件
申请号CN201810788699.0申请日期2018-07-18
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-11-02公开/公告号CN108735753A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11521
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人长鑫存储技术有限公司申请人地址
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长鑫存储技术有限公司当前权利人长鑫存储技术有限公司
发明人周步康;张城绪
代理机构北京市铸成律师事务所代理人张臻贤;武晨燕
摘要
本发明提供一种非易失性半导体存储器件,包括MOS晶体管以及依次沉积于MOS晶体管的漏极区上方的阻挡层、浮栅、隧穿氧化层和控制栅;其中,栅极区连接至工作电压,当栅极区在工作电压下,源极区至漏极区的沟道导通,使漏极区的电压一致于源极区;源极区连接至第一电压,控制栅连接至第二电压,当第一电压和第二电压使隧穿氧化层两端的电势差超过阈值,隧穿氧化层被隧穿;以及阻挡层用于阻挡浮栅中的电荷向漏极区流失。本发明的技术方案可以提供一种基于DRAM架构的新型非易失性存储器件,实现多位非易失性数据存储功能。

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