具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610172133.2
IPC分类号：G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;H01L27/115
申请日期：
2006-12-27
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法
申请号	CN200610172133.2	申请日期	2006-12-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-01-30	公开/公告号	CN101114520
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/04 使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;4;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金元柱;金锡必;玄在雄;朴允童;具俊谟
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	吕晓章;李晓舒

摘要

提供了一种能够同时克服NAND型闪存器件和NOR型闪存器件的缺点的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括与一个串连接并与该串相交第一和第二位线。第一和第二存储晶体管被包括在第一和第二位线之间的串中并分别包括控制栅极和存储节点。第一旁路晶体管被包括在第一位线和第一存储晶体管之间的串中并包括第一旁路栅极。第二旁路晶体管被包括在第二存储晶体管和第二位线之间的串中并包括第二旁路栅极。第三旁路晶体管被包括在第一和第二存储晶体管之间的串中并包括第三旁路栅极。第三位线被连接到第三旁路晶体管的沟道上。以及，字线被共同连接到第一和第二存储晶体管中每一个的控制栅极上。

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