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一种U型沟道的隧穿场效应晶体管的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110410865.1
IPC分类号：H01L21/336
申请日期：
2011-12-12
申请人：
复旦大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种U型沟道的隧穿场效应晶体管的制造方法
申请号	CN201110410865.1	申请日期	2011-12-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-02	公开/公告号	CN102437060A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	王鹏飞;林曦;刘伟;孙清清;张卫
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种U型沟道的隧穿场效应晶体管的制造方法。U型沟道结构能够有效地延长晶体管的沟道长度，抑制晶体管中漏电流的产生，降低芯片功耗。本发明所提出的U型沟道的隧穿场效应晶体管的制造方法能够实现极窄的U型沟道，并克服由光刻引入的对准偏差，提高芯片的集成度。

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