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分离探测器混成芯片的工装、制备方法、分离方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010225130.0
  • IPC分类号:H01L31/18;G01J1/44
  • 申请日期:
    2020-03-26
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第十一研究所
著录项信息
专利名称分离探测器混成芯片的工装、制备方法、分离方法
申请号CN202010225130.0申请日期2020-03-26
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-26公开/公告号CN111341886A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;G;0;1;J;1;/;4;4查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第十一研究所申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第十一研究所当前权利人中国电子科技集团公司第十一研究所
发明人黄婷;李海燕
代理机构工业和信息化部电子专利中心代理人张然
摘要
本发明公开了一种分离探测器混成芯片的工装、制备方法、分离方法。探测器混成芯片分离方法,包括:将透明基底的外表面划分为第一区域、第二区域和其他区域,其中,第一区域和第二区域相对且间隔排布;在其他区域镀金属薄膜;在第一区域涂覆透明胶层,以制备分离探测器混成芯片的工装;将工装的涂覆有透明胶层的一层对准探测器混成芯片的光敏芯片下压,以使探测器混成芯片与工装粘接;对粘接有探测器混成芯片的工装进行超声处理,以将光敏芯片剥离探测器混成芯片。采用本发明,可以在不破坏光敏芯片结构、电路结构、铟柱结构的情况下实现有效的光敏芯片剥离,从而使技术人员能够针对芯片表面状态、电路表面状态、铟柱高度等进行有效观察、测量。

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