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封装基板上凸点的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410288921.2
  • IPC分类号:H01L21/48
  • 申请日期:
    2014-06-24
  • 申请人:
    华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
著录项信息
专利名称封装基板上凸点的制备方法
申请号CN201410288921.2申请日期2014-06-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-09-10公开/公告号CN104037094A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/48IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司当前权利人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人刘文龙
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;刘海
摘要
本发明涉及一种封装基板上凸点的制备方法,其特征是,包括以下工艺步骤:(1)在基板上制作一根电镀引线;(2)在基板的上表面制作绿油层,绿油层避开基板中心的局部种子层区域;(3)在局部种子层区域制作电镀种子层,电镀种子层位于局部种子层区域的焊盘之间;(4)在基板的表面贴多层感光性干膜,感光性干膜的总厚度大于所需制备的凸点的高度;贴膜后进行光刻,在局部种子层区域形成多个通孔,通孔分别与焊盘一一对应,由感光性干膜的上表面延伸至焊盘的表面;(5)在通孔中进行电镀铜金属,形成凸点;电镀完成后去除感光性干膜和电镀种子层,完成封装基板上凸点的制备。本发明大大减少数电镀引线的数量,降低工艺复杂程度。

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