低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110309603.X
IPC分类号：C08J7/12;C08J5/18;C08L71/10;C08G65/40
申请日期：
2021-03-23
申请人：
电子科技大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用
申请号	CN202110309603.X	申请日期	2021-03-23
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112851996A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J7/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J7/00 高分子物质成形制品的化学处理或涂层（镀复金属材料入C23C；金属的电介沉积入C25）〔2〕 C08J7/12 化学改性〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;7;/;1;2;;;C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;7;1;/;1;0;;;C;0;8;G;6;5;/;4;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	黄宇敏;刘宸辰;曾子秋;王登善;刘孝波
代理机构	成都虹桥专利事务所（普通合伙）	代理人	张小丽

摘要

本发明公开了一种低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用，属于高分子合成技术领域。本发明将可交联聚芳醚腈I、催化剂溶于极性溶剂中，通过流延成膜法，制得可交联型聚芳醚腈薄膜；其经烘干成型后，再进行高温热处理；冷却后，将薄膜浸泡在水，烘干，得到低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜。本发明以可交联的含氟聚芳醚腈为原料，通过交联反应，使聚芳醚腈主链上的极性氰基基团发生交联反应，形成致密的网络结构，从而得到低介电含氟聚芳醚腈薄膜，且具有更加优异的耐热性和强度。本发明制备方法简单且易于工业化操作，所得低介电薄膜可应用在集成电路、5g通信天线材料或柔性覆铜板等领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供