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n材料

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010836781.3
  • IPC分类号:H01L29/66
  • 申请日期:
    2017-11-17
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称n材料
申请号CN202010836781.3申请日期2017-11-17
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-11-17公开/公告号CN111952363A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/66IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;6;6查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人程晓敏;夏泽瑛;张瑾;冯金龙;童浩;缪向水
代理机构杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张宇娟
摘要
本发明公开了一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料,在初始超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料中加入掺杂元素,所述掺杂元素包括锰Mn或铬Cr或钐Sm中的至少一种,以破坏所述超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料的时间反演对称性,使得其表面能带结构的狄拉克点打开,同时产生能带自旋劈裂现象。通过将掺杂元素引入初始超晶格材料,与现有技术相比能够有效解决拓扑绝缘体表面态狄拉克锥调控不易、狄拉克点无法被打开等问题。

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