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一种(Hf,Ta,Nb,Ti)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910458660.7
  • IPC分类号:C04B35/58;C04B35/626
  • 申请日期:
    2019-05-29
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称一种(Hf,Ta,Nb,Ti)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法
申请号CN201910458660.7申请日期2019-05-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-09-06公开/公告号CN110204341A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/58IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;6查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市天河区五山路381号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人褚衍辉;刘达;叶贝琳
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司代理人何淑珍;隆翔鹰
摘要
本发明公开了一种(Hf,Ta,Nb,Ti)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法,该制备方法包括:(1)称取HfO2粉、TiO2粉、Nb2O5粉、Ta2O5粉、B4C粉以及C粉混合作为原料,通过研磨得到混合粉末;(2)将步骤(1)得到的混合粉末进行烧结,烧结过程中通惰性气体,烧结完成后进行冷却,最终得到所述(Hf,Ta,Nb,Ti)B2高熵陶瓷粉体。本发明所述方法不仅工艺简单、生产成本低,而且合成的粉体晶粒细小、分布均匀、纯度高,且氧含量低于0.53wt%。这些优点使得该方法具有发展成大规模工业生产的潜力。

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