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用于在衬底上沉积具有较高介电常数的涂层的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02806762.2
  • IPC分类号:C23C16/26;B05D5/12;H01L21/31
  • 申请日期:
    2002-03-19
  • 申请人:
    马特森技术公司;加州大学评议会
著录项信息
专利名称用于在衬底上沉积具有较高介电常数的涂层的方法
申请号CN02806762.2申请日期2002-03-19
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-05-19公开/公告号CN1498285
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/26IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;2;6;;;B;0;5;D;5;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1查看分类表>
申请人马特森技术公司;加州大学评议会申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人马特森技术公司,加州大学评议会当前权利人马特森技术公司,加州大学评议会
发明人J·常;Y·-S·林;A·凯普滕;M·森德勒;S·莱维;R·布洛姆
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人章社杲
摘要
提供了一种用于在衬底(14)如半导体晶片上沉积高k介电涂层的方法。对衬底进行一次或多次反应循环。例如,在典型的反应循环中,将衬底加热到一定的沉积温度。之后,在一个实施例中,将一种或多种用于反应的有机金属气体先质供应到反应容器(12)中。还在一定的氧化温度下向衬底提供氧化气体,以便氧化和/或致密化这些层。结果,形成了金属氧化物涂层,其厚度等于至少约一个单层,在一些情况下等于两个或多个单层。所得金属氧化物涂层的介电常数通常大于约4,在一些情况下为约10到约80。

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