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改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110074395.6
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2011-03-25
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法
申请号CN201110074395.6申请日期2011-03-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-09-26公开/公告号CN102693916A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司当前权利人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
发明人罗军;赵超;钟汇才;李俊峰
代理机构北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明公开了一种用于有效提高镍基金属硅化物热稳定性的方法,包括在重掺杂源漏区中形成非晶层;对所述非晶层进行掺杂离子注入;退火以形成重结晶层,所述掺杂离子固定在所述重结晶层内;在所述重结晶层上形成镍基金属硅化物。由于采用了预非晶化再注入掺杂离子随后再退火重结晶的工艺,使得注入的掺杂离子被类似于“固定”或“冻结”在重结晶层中,也即在稍后的镍基金属硅化物形成过程中,这些掺杂离子不会因为离子注入时经常发生的隧道效应而进入沟道区,从而大幅提高了镍基金属硅化物热稳定性,且不会恶化器件性能。

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