一种基于MoS2/GaSe异质结的光电类突触器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010417335.9
IPC分类号：H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18
申请日期：
2020-05-18
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种基于MoS2/GaSe异质结的光电类突触器件及其制备方法
申请号	CN202010417335.9	申请日期	2020-05-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-21	公开/公告号	CN111564518A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/109 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/109 为PN异质结型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	彭皓
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	霍淑利

摘要

本发明涉及一种基于MoS2/GaSe异质结的光电类突触器件，属于微电子器件及制备技术领域。本发明的一种基于MoS2/GaSe异质结的光电类突触器件，通过使用二维材料MoS2/GaSe，利用其优秀的光电响应特性，使得器件的光响应速度得到提升，响应速度达到33ms；当输入条件一致时，输出保持稳定；另外，通过使用光信号作为输入，使得本发明避免了电信号间之间的信号串扰；并且，可见光范围内波段的激光作为输入时，器件均能正常工作，因此，提升了器件的工作带宽；此外，本发明的制备工艺与传统工艺相同或兼容，生产成本低，适用于大规模推广。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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