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一种金刚石基氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110594370.2
  • IPC分类号:H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335;H01L23/373
  • 申请日期:
    2021-05-28
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称一种金刚石基氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法
申请号CN202110594370.2申请日期2021-05-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-27公开/公告号CN113314598A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/20IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人薛军帅;孙志鹏;姚佳佳;杨雪妍;吴冠霖;李祖懋;张进成;郝跃
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华;李勇军
摘要
本发明公开了一种金刚石基氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法,主要解决现有氮极性面氮化镓器件材料外延质量低、在高压高功率工作条件下散热能力差和电流崩塌及可靠性退化的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、过渡层(2)、支撑层(3)、势垒层(4)、插入层(5)、沟道层(6)和绝缘栅介质层(7),该沟道层(6)的两侧均为欧姆接触区,这两侧欧姆接触区上分别设置源电极和漏电极,该绝缘栅介质层(7)上设置栅电极。本发明器件材料外延质量高,能改善自热效应和电流崩塌现象,器件输出功率和工作可靠性高,制作工艺简单,器件性能一致性高,可用于高频微波功率放大器和单片微波毫米波集成电路。

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