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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510769977.4
IPC分类号：H01L31/02;H01L31/18
申请日期：
2015-11-12
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201510769977.4	申请日期	2015-11-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-06	公开/公告号	CN105742376A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	郑允玮;周俊豪;洪丰基;李国政;许永隆
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括第一衬底、第二衬底、多个通孔(TV)和多个导电帽。第一衬底具有设置在其上的至少一个电组件。第二衬底堆叠在第一衬底上。TV延伸穿过第二衬底以电连接至第一衬底的至少一个电组件。导电帽分别覆盖TV，以及导电帽彼此电隔离。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

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