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气帘形成装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03825753.X
  • IPC分类号:H01L21/68;H01L21/02;B65G49/07
  • 申请日期:
    2003-02-27
  • 申请人:
    近藤工业株式会社;日本剑桥过滤器株式会社
著录项信息
专利名称气帘形成装置
申请号CN03825753.X申请日期2003-02-27
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2006-01-11公开/公告号CN1720613
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/68IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;B;6;5;G;4;9;/;0;7查看分类表>
申请人近藤工业株式会社;日本剑桥过滤器株式会社申请人地址
日本国东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人近藤工业株式会社,日本剑桥过滤器株式会社当前权利人近藤工业株式会社,日本剑桥过滤器株式会社
发明人木崎原稔郎;河内山茂;冈田诚;上野幸太
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人徐谦
摘要
在气帘形成装置中,防止外气从半导体制造装置的开口部、与密闭容器的晶片出入口的间隙侵入、而使灰尘附着于上述密闭容器内的晶片。从具有过滤器单元(6a)的清洁空气喷出装置(1),向取出装入晶片(73)的密闭容器(71)的出入口(74)、与安装于半导体制造装置(76)的前面板(77)的装载部(78)的开口部(98)之间的间隙(96),喷出清洁空气,而形成气帘,该过滤器单元(6a)通过送气管(3)与空气供给装置(2)连接、且将圆筒状过滤器(10)连接成矩形框状,由此,当将密闭容器(71)的盖子(75)向半导体制造装置(76)内侧开启时,可以阻断通过密闭容器(71)的出入口(74)、与安装于半导体制造装置(76)的装载部(78)的开口部(98)之间的间隙(96)而侵入到密闭容器(71)的外气。

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