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具有居间垂直侧边芯片的多管芯半导体结构及其半导体封装

发明专利有效专利

申请号：
CN201280073453.6
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/12
申请日期：
2012-06-25
申请人：
英特尔公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有居间垂直侧边芯片的多管芯半导体结构及其半导体封装
申请号	CN201280073453.6	申请日期	2012-06-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-11	公开/公告号	CN104350593A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	B·E·谢;S·佩雷尔曼;K·C·黄;J·C·P·孔
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	张欣

摘要

描述了具有居间垂直侧边芯片的半导体多管芯结构，及容纳该半导体多管芯结构的封装。在一个示例中，多管芯半导体结构包括具有半导体管芯的第一大致水平排布的第一主堆叠管芯(MSD)结构。还包括具有半导体管芯的第二大致水平排布的第二MSD结构。居间垂直侧边芯片(i‑VSC)被置于第一和第二MSD结构之间，并与其电气耦接。

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