加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610283967.4
  • IPC分类号:H01L21/311;H01L43/12
  • 申请日期:
    2016-04-29
  • 申请人:
    上海磁宇信息科技有限公司
著录项信息
专利名称一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法
申请号CN201610283967.4申请日期2016-04-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-11-07公开/公告号CN107331612A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/311
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人上海磁宇信息科技有限公司申请人地址
上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海磁宇信息科技有限公司当前权利人上海磁宇信息科技有限公司
发明人张云森
代理机构上海容慧专利代理事务所(普通合伙)代理人于晓菁
摘要
本发明提供了一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法,包括如下步骤:(1)提供包括磁性隧道结多层膜的衬底;(2)在衬底上依次形成钽膜层和硅化合物膜层;(3)图形化转移磁性隧道结图案到硅化合物膜层,使用光刻胶和有机抗反射层完成对磁性隧道结图案的图形化定义;(4)采用CF4干刻蚀硅化合物膜层;(5)采用Cl2/Ar混合气体或者CH4/Ar混合气体干刻蚀钽膜层;(6)除去残留的光刻胶和有机抗反射层。本发明中,钽对硅化合物的选择比高达5以上,是现有技术的10倍,有效改善了钽膜层刻蚀过后的图案和轮廓,消除了钽膜层在磁性隧道结刻蚀之前的消耗,降低了磁性随机存储器电路位线和磁性隧道结单元短路的风险。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供