生产无载体添加的高纯度177Lu化合物的方法和无载体添加的177Lu化合物

发明专利有效专利

申请号：
CN201280035257.X
IPC分类号：G21G1/00
申请日期：
2012-04-12
申请人：
ITM同位素技术慕尼黑股份公司

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著录项信息

专利名称	生产无载体添加的高纯度177Lu化合物的方法和无载体添加的177Lu化合物
申请号	CN201280035257.X	申请日期	2012-04-12
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-04-09	公开/公告号	CN103718250A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21G1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21G 化学元素的转变；放射源〔2〕 G21G1/00 用于以电磁辐射、微粒辐射或粒子轰击的方法转变化学元素的装置，例如生产放射性同位素（通过热核反应的入G21B；核燃料的转变入G21C）〔2〕	IPC分类号	G;2;1;G;1;/;0;0查看分类表>
申请人	ITM同位素技术慕尼黑股份公司	申请人地址	德国加兴变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ITM同位素技术慕尼黑股份公司	当前权利人	ITM同位素技术慕尼黑股份公司
发明人	塞巴斯蒂安·马克斯;马克·哈尔芬施特勒;康斯坦丁·哲诺斯科夫;托墨·尼古拉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	郭国清;穆德骏

摘要

本发明涉及用于生产药用目的用的无载体高纯度177Lu化合物的柱色谱法。根据本发明的方法中使用了阳离子交换剂和合适的螯合剂。根据本发明的方法第一次可以从被热中子辐射过的176Yb化合物中以高纯形式以毫克量获得用于制药-药用目的的无载体高纯度177Lu化合物，其中用于纯化存在的放射性核素177Lu和176Yb的质量比约为1∶102到1∶1010。

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