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用于OLED应用的PECVDHMDSO膜的等离子体固化

发明专利有效专利

申请号：
CN201710897728.2
IPC分类号：H01L51/56;H01L51/52;C23C16/40;C23C16/56
申请日期：
2014-02-12
申请人：
应用材料公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于OLED应用的PECVDHMDSO膜的等离子体固化
申请号	CN201710897728.2	申请日期	2014-02-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-15	公开/公告号	CN107482137A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;6查看分类表>
申请人	应用材料公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	J·J·陈;崔寿永
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国

摘要

本发明涉及用于OLED应用的PECVDHMDSO膜的等离子体固化。本发明描述了一种用于形成OLED器件的方法。具有夹在阻挡层之间的缓冲层的封装层沉积在OLED结构上。所述缓冲层沉积在第一阻挡层上，并在低于100摄氏度的温度下利用含氟等离子体进行固化。接着，所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。

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