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磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310713668.6
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16
申请日期：
2013-12-20
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法
申请号	CN201310713668.6	申请日期	2013-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-25	公开/公告号	CN103887425A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	D.阿帕尔科夫;A.V.科瓦尔科夫斯基;V.尼基丁;S.M.沃茨
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	屈玉华

摘要

本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。

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