掺Sb∶SnO2透明导电纳米微粉

发明专利无效专利

申请号：
CN00132075.0
IPC分类号：--
申请日期：
2000-12-14
申请人：
成都亿安方博低维材料科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	掺Sb∶SnO2透明导电纳米微粉
申请号	CN00132075.0	申请日期	2000-12-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2002-07-10	公开/公告号	CN1357509
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	成都亿安方博低维材料科技有限公司	申请人地址	四川省成都市芳草东街76号4楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都亿安方博低维材料科技有限公司	当前权利人	成都亿安方博低维材料科技有限公司
发明人	李树尘
代理机构	成都立信专利事务所有限公司	代理人	黄首一

摘要

本发明涉及低电阻率的导电微粉。本导电微粉为掺Sb∶SnO2,Sn与Sb原子数量比为6.7～13.5∶1,粒径为5～20nm,自然堆集态粉体电阻为104～106Ω。其制备方法为首先将SnCl4·5H2O及SbCl3分别与无水乙醇相溶并醇化反应,生成锡锑氯醇盐溶液;滴入氨的蒸馏水发生水解沉淀反应,经沉淀过滤、离心分离,于80～120℃干燥;粉碎后,于马弗炉在350～700℃焙烧而制成。具有工艺简单,电导性能优良,粒度细,成本低,适宜产业化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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