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一种带有寄生圆片的高隔离度双极化E型微带天线

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210364903.9
  • IPC分类号:H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q13/08;H01Q21/24;H01Q19/10
  • 申请日期:
    2012-09-26
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种带有寄生圆片的高隔离度双极化E型微带天线
申请号CN201210364903.9申请日期2012-09-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-01-02公开/公告号CN102856640A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01Q1/38IPC分类号H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;/;5;2;;;H;0;1;Q;1;3;/;0;8;;;H;0;1;Q;2;1;/;2;4;;;H;0;1;Q;1;9;/;1;0查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新西区西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人杨仕文;苟俨山;刘传;石星宇;顾爱军;李潇;何小峰
代理机构四川省成都市天策商标专利事务所代理人刘兴亮
摘要
本发明公开了一种带有寄生圆片的高隔离度双极化E型微带天线。该天线具有隔离度高、低交叉极化、尺寸小、结构简单的优点。该天线采用双层E型贴片形式,分别在上层介质板的上下两面印有E型贴片,且开槽方向正交,通过同轴探针馈电分别产生了±45°方向的两个线极化,本发明最大的创新在于在同一块介质板的两面各印有一个E型贴片,将传统的单极化E型贴片天线拓展到双极化E型贴片天线,并获得了高隔离度,以及低交叉极化特性。在回波损耗低于-15dB的情况下可达7.7%的带宽,隔离度低于-30dB,方向图稳定,交叉极化好、增益在6.8dBi-7.4dBi。本发明可应用于微型移动基站中。

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