首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种硅基各向同性湿法刻蚀工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201210446145.5
IPC分类号：H01L21/306;H01L21/027;G03F7/00
申请日期：
2012-11-09
申请人：
天水天光半导体有限责任公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种硅基各向同性湿法刻蚀工艺
申请号	CN201210446145.5	申请日期	2012-11-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-13	公开/公告号	CN102931070A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/306 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/306 化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	天水天光半导体有限责任公司	申请人地址	甘肃省天水市天水环城西路7号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天水天光半导体有限责任公司	当前权利人	天水天光半导体有限责任公司
发明人	徐谦刚;杜林德;王永功;刘惠林;谢文元
代理机构	甘肃省知识产权事务中心	代理人	鲜林

摘要

本发明提供一种新的硅基各向同性湿法刻蚀工艺，通过在其表面先形成二层牺牲层 +负性450CP光刻胶，再通过硅微加工的光刻工艺形成要加工的图形，再利用各向同性腐蚀，得到深度与宽度之比很小二维加工图形。本发明在选择合理配比的腐蚀系统中加入一定量醋酸和水作为缓冲剂稳定腐蚀速率，将腐蚀液放置在冰水混合物中控制反应温度，得到最佳腐蚀速率、深宽比和表面质量的硅腐蚀系统。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供