一种太阳能薄膜电池及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210233479.4
IPC分类号：H01L31/075;H01L31/0376;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/20
申请日期：
2012-07-06
申请人：
浙江正泰太阳能科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种太阳能薄膜电池及其制造方法
申请号	CN201210233479.4	申请日期	2012-07-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102751371A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/075 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/075 只是PIN型势垒的，例如非晶硅PIN太阳能电池〔5，2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;7;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;7;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0查看分类表>
申请人	浙江正泰太阳能科技有限公司	申请人地址	江苏省盐城市大丰区沪苏大丰产业联动集聚区凤阳路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盐城正泰新能源科技有限公司	当前权利人	盐城正泰新能源科技有限公司
发明人	杨玮亮;李云峰;韩玮智;牛新伟
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司	代理人	杨天娇

摘要

本发明公开了一种太阳能薄膜电池的结构及其制造方法，本发明的太阳能薄膜电池采用晶体硅片作为衬底，正面经退火处理后形成a-Si:H钝化层，再覆盖非晶硅薄膜层，可以修复和钝化正面由于RIE制绒后产生的缺陷以及晶体硅体内和表面固有的缺陷，并且在正面能形成良好的p-i-n结构，采用TCO覆盖表面可以很好的收集光生电流；背面用Al2O3钝化并覆盖SixNy层和背铝层，以保护Al2O3层在烧结时不被破坏，可以良好的钝化背面缺陷，如此结构烧结时候也不容易弯曲，可以减薄硅片的厚度，大大节约了电池的成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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