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在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910235335.0
  • IPC分类号:H01L21/205;H01L21/311;H01L21/306
  • 申请日期:
    2009-09-30
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法
申请号CN200910235335.0申请日期2009-09-30
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-04-27公开/公告号CN102034693A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人胡强;段瑞飞;魏同波;杨建坤;霍自强;曾一平
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法,包括以下步骤:步骤1:在C面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜;步骤2:利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的C面蓝宝石衬底上光刻出沿着[11-20]方向的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形;步骤3:通过湿法刻蚀,将光刻的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形转移到衬底上;步骤4:腐蚀去掉二氧化硅或氮化硅膜,清洗衬底,得到清洁的蓝宝石图形衬底;步骤5:直接采用氢化物气相外延系统在所得到的蓝宝石图形衬底上外延生长GaN厚膜,完成制备。

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