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存储元件和存储装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110005533.5
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24
  • 申请日期:
    2011-01-12
  • 申请人:
    索尼公司
著录项信息
专利名称存储元件和存储装置
申请号CN201110005533.5申请日期2011-01-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-09-14公开/公告号CN102185101A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人索尼公司申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索尼公司当前权利人索尼公司
发明人保田周一郎;荒谷胜久;大场和博;清宏彰
代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司代理人陈桂香;武玉琴
摘要
本发明公开了存储元件和存储装置。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中,所述存储层包括:高电阻层,所述高电阻层的阴离子成分内含有碲(Te)作为主要成分,并且所述高电阻层形成在所述第一电极侧;以及离子源层,所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素,并且所述离子源层形成在所述第二电极侧。所述存储装置包括多个上述存储元件且包括用于选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲的脉冲施加部。本发明的存储元件及存储装置能够改善擦除特性和写入保持特性,并且对于多次写入/擦除操作能够减小擦除状态中的电阻值间的差异。

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