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具有动态温度控制的基片支架

发明专利有效专利

申请号：
CN200480021684.8
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/306;C23C16/00;C23C16/46;C23C16/505
申请日期：
2004-06-28
申请人：
兰姆研究公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有动态温度控制的基片支架
申请号	CN200480021684.8	申请日期	2004-06-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-18	公开/公告号	CN1849697
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;C;2;3;C;1;6;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;6;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;5查看分类表>
申请人	兰姆研究公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	兰姆研究公司	当前权利人	兰姆研究公司
发明人	R·J·斯蒂格
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	张祖昌

摘要

用于等离子体处理装置的基片支架，包括金属传热元件，和叠加在其上的具有基片支承面的静电夹盘。传热元件包括一个或多个通道，流体通过该通道循环以便加热和/或冷却传热元件。该传热元件具有较小的热质，并可被流体快速地加热和/或冷却到预期的温度，以便在等离子体处理过程中快速地改变基片的温度。

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