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用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术

发明专利有效专利

申请号：
CN201810146062.1
IPC分类号：G11C7/06;G11C7/12;G11C16/00;G11C16/06;G11C16/24;G11C16/26;G11C16/28;H01L27/11519
申请日期：
2014-01-14
申请人：
硅存储技术公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术
申请号	CN201810146062.1	申请日期	2014-01-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-22	公开/公告号	CN108198581A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/06 读出放大器；相关的电路（放大器本身入H03F，H03K）〔1，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;6;;;G;1;1;C;7;/;1;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;0;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6;;;G;1;1;C;1;6;/;2;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;1;9查看分类表>
申请人	硅存储技术公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	硅存储技术公司	当前权利人	硅存储技术公司
发明人	H.V.特兰;A.利;T.伍;H.Q.阮;V.蒂瓦里
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	周学斌;郑冀之

摘要

本发明涉及用于先进纳米闪速存储器装置的高速感测技术。本发明公开了用于先进纳米闪速存储器装置的改进的感测电路和改进的位线布局。

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