有源矩阵显示器

发明专利无效专利

申请号：
CN200510004153.4
IPC分类号：G02F1/136;H01L29/786
申请日期：
1993-08-27
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	有源矩阵显示器
申请号	CN200510004153.4	申请日期	1993-08-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-13	公开/公告号	CN1637565
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/136 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕 G02F1/133 构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置（用于控制矩阵中液晶元件并且在结构上不与这些元件相连的装置或电路入G09G 3/36）〔3，7〕 G02F1/136 结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元（G02F 1/135优先）〔5〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;张宏勇
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘杰

摘要

一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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