一种增强散热的多芯片封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023303992.5
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/31;H01L23/29
申请日期：
2020-12-30
申请人：
亿科联合（深圳）集成电路有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种增强散热的多芯片封装结构
申请号	CN202023303992.5	申请日期	2020-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9查看分类表>
申请人	亿科联合（深圳）集成电路有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙华区观湖街道鹭湖社区观乐路5号多彩科技城1号楼607 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	亿科联合（深圳）集成电路有限公司	当前权利人	亿科联合（深圳）集成电路有限公司
发明人	邱海波
代理机构	深圳茂达智联知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	徐文军

摘要

本实用新型提供一种增强散热的多芯片封装结构，属于半导体封装结构技术领域，该增强散热的多芯片封装结构包括基板，所述基板的外表面固定连接有封装框，所述封装框的下表面固定连接有封装下层，所述封装框的上表面固定连接有封装上层，在基板上先开设散热槽和通槽，使得芯片的热量便于散发到封装下层，导热孔也便于热量向四周传递，不集中在一块，对芯片进行封装后，为了方便芯片在使用中的散热效率，在封装下层开设有沟槽、方形槽和圆形槽，使得在不增加芯片体积基础上增加表面积提升散热性能，同时这三种槽所形成的结构也有利于减小封装下层的表面应力，降低芯片翘曲度，有效提高芯片的散热性能，使得散热更加均匀。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供