一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110074713.2
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2021-01-20
申请人：
西安应用光学研究所

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著录项信息

专利名称	一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法
申请号	CN202110074713.2	申请日期	2021-01-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112897455A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	西安应用光学研究所	申请人地址	陕西省西安市雁塔区电子三路西段九号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安应用光学研究所	当前权利人	西安应用光学研究所
发明人	虎将;翁锴强;冯攀;罗怡;马彰鑫;蔡锦浩;谢国兵;王芝;张森;张永宁;刘杰
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心	代理人	刘二格

摘要

本发明公开了一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，包括以下步骤：制备母模具；制备PDMS软模具；制备掩膜层微结构；微结构刻蚀转移。本发明实现了硅基底/碳化硅基底上连续曲面微结构的一次成型制造，并且工艺性良好，适于大批量生产；通过调节抗蚀层和基底的刻蚀比例，可以实现连续曲面微结构按比例转移到基底上，转移后的微结构尺寸可控。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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