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具有改进的擦除功能的闪存设备和控制其擦除操作的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510128852.X
  • IPC分类号:G11C16/06;G11C16/14;H01L27/115
  • 申请日期:
    2005-12-07
  • 申请人:
    海力士半导体有限公司
著录项信息
专利名称具有改进的擦除功能的闪存设备和控制其擦除操作的方法
申请号CN200510128852.X申请日期2005-12-07
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2006-09-13公开/公告号CN1832040
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C16/06IPC分类号G;1;1;C;1;6;/;0;6;;;G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人海力士半导体有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海力士半导体有限公司当前权利人海力士半导体有限公司
发明人李熙烈
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人黄小临;王志森
摘要
本发明涉及具有改进擦除功能的闪存设备和控制其擦除操作的方法。根据本发明,闪存设备包括存储单元块,其每个具有共享局部字线和位线的多个存储单元;X-解码器,解码行地址信号并输出解码信号;块选择单元,响应于解码信号而选择存储单元块中的一些,并将所选存储单元块的局部字线分别连接到对应全局字线;以及高电压产生器,响应于读取命令、编程命令和擦除命令之一而产生字线偏压,并响应于解码信号而分别将所产生的字线偏压提供给全局字线,其中由高电压产生器响应于擦除命令而产生的字线偏压分别具有正值。因此,在擦除操作中正偏压被施加到全局字线。这样,可以防止由于通路栅的泄漏电流导致的未被选择的存储单元块的浅擦除现象。

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