近接传感器封装构造及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310349073.7
IPC分类号：H01L25/16;H01L23/31;H01L21/56;G01V8/12
申请日期：
2013-08-12
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	近接传感器封装构造及其制作方法
申请号	CN201310349073.7	申请日期	2013-08-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-20	公开/公告号	CN103400836A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/16 包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;G;0;1;V;8;/;1;2查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄巿楠梓加工区经三路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	何信颖;李育芸;陈柏年;简钰庭
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	林斯凯

摘要

本发明公开一种近接传感器封装构造及其制作方法，一近接传感器封装构造主要包含一基板、一光发射元件、一光接收元件、一第一透明封装体、一第二透明封装体及一不透明封装体。所述光发射元件及光接收元件设于所述基板上，所述第一及第二透明封装体分别封装所述光发射元件及光接收元件，其顶面分别具有一出光部及一入光部；所述不透明封装体封装部分的所述第一及第二透明封装体，曝露所述出光部及入光部。本发明的近接传感器封装构造通过模具内部设有弹性部以抵贴光学组件透明封装体表面的方式来进行不透明封装体的封装，可取代现有具有透镜的壳体组装方式，除了能简化结构及组装方式外，也有利于尺寸的微小化。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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