一种基于兰炭工艺的高纯度工业硅制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110884805.7
IPC分类号：C01B33/025
申请日期：
2021-08-03
申请人：
陇川县晶准硅业有限责任公司

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著录项信息

专利名称	一种基于兰炭工艺的高纯度工业硅制备方法
申请号	CN202110884805.7	申请日期	2021-08-03
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113620299A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/025 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕 C01B33/023 用二氧化硅或含二氧化硅的物料的还原方法〔5〕 C01B33/025 使用碳或固体碳质物料，即碳热还原工艺〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;5查看分类表>
申请人	陇川县晶准硅业有限责任公司	申请人地址	云南省德宏傣族景颇族自治州陇川县户撒乡腊撒村委会大海岛村变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陇川县晶准硅业有限责任公司	当前权利人	陇川县晶准硅业有限责任公司
发明人	吴桂生;杨崇国;尹逵;龚平均;吴炫霆;龚颖;尹青
代理机构	昆明科阳知识产权代理事务所	代理人	孙山明

摘要

本发明涉及工业硅制备技术领域，公开了一种基于兰炭工艺的高纯度工业硅制备方法，S1：物料处理；S2：物料除铁除磷；S3：物料提纯；S4：物料混合冶炼；S5：物料再处理；S6；物料收集；本发明在制备工业硅时对硅石物料除铁除磷以及提纯处理，从而使得硅石得到很好的除铁除磷，并且通过加热炉中的硅液与造渣剂混合，增加工业硅的纯度，能够生产出较高纯度的工业硅，并且还能够减少能源的消耗和降低污染物的排放，使得对环境保护，本发明通过物料除铁除磷以及提纯处理从而可使得工业硅的纯度较高，并且在储存时对工业硅的重量进行称重并记录，并且可通过外部设备将其信息进行打印成二维码粘贴在储存罐外部，便于后续的查看。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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