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高性能的LED图形优化衬底及LED芯片

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410284353.9
  • IPC分类号:H01L33/20
  • 申请日期:
    2014-06-23
  • 申请人:
    华南理工大学
著录项信息
专利名称高性能的LED图形优化衬底及LED芯片
申请号CN201410284353.9申请日期2014-06-23
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-10-01公开/公告号CN104078541A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/20IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人华南理工大学申请人地址
广东省广州市天河区五山路381号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南理工大学当前权利人华南理工大学
发明人李国强;钟立义;王海燕;林志霆;周仕忠;乔田;王凯诚
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人陈文姬
摘要
本发明公开了高性能的LED图形优化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆台组成,每个圆台的高度H为0.5~4μm,上圆半径R上为0.1~1μm,下圆半径R下为1~3μm,R上<R下,相邻圆台的边距d为0.2~3μm。本发明还公开了上述LED图形优化衬底的制备方法及包含上述LED图形优化衬底的LED芯片。本发明通过采用圆台型图形衬底,大大提高了反射光子到达LED芯片顶部及底部的能力,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,而且圆台图案有利于形核,有利于外延生长高质量GaN晶体。

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