加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种异质结电池的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310125902.3
  • IPC分类号:H01L31/20
  • 申请日期:
    2013-04-11
  • 申请人:
    浙江正泰太阳能科技有限公司
著录项信息
专利名称一种异质结电池的制备方法
申请号CN201310125902.3申请日期2013-04-11
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2013-07-31公开/公告号CN103227246A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/20IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;2;0查看分类表>
申请人浙江正泰太阳能科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江正泰太阳能科技有限公司当前权利人浙江正泰太阳能科技有限公司
发明人牛新伟;郁操;丁澜;戎俊梅;刘石勇;王明华;胡金艳;韩玮智;朱永敏;张华;冯涛;金建波;仇展炜;杨立友
代理机构北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)代理人冯谱
摘要
本发明公开了一种异质结电池的制备方法,包括如下步骤:在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层,这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片;在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层;在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜;在所述硅片的背面形成背电极和铝背场;在所述硅片的正面形成正电极。另外,本发明还公开了一种双面异质结电池的制备方法。本发明采用掺硼氧化锌薄膜除替代ITO薄膜作为减反膜,由于掺硼氧化锌的特殊性质,特别是光陷作用,掺硼氧化锌可以起到良好的减反射作用,这样就省去了制绒的步骤,简化了制备工艺,由于多晶硅制绒更加具有挑战性,本发明对采用多晶硅硅片的异质结电池更加有意义。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供