硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922326551.8
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/0747
申请日期：
2019-12-20
申请人：
国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司

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专利名称	硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜
申请号	CN201922326551.8	申请日期	2019-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;7查看分类表>
申请人	国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司	申请人地址	北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家电投集团科学技术研究院有限公司,国家电投集团新能源科技有限公司	当前权利人	国家电投集团科学技术研究院有限公司,国家电投集团新能源科技有限公司
发明人	王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;周永谋;李洋;杨文魁
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	宋合成

摘要

本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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