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硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201922326551.8
  • IPC分类号:H01L31/0224;H01L31/0747
  • 申请日期:
    2019-12-20
  • 申请人:
    国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
著录项信息
专利名称硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜
申请号CN201922326551.8申请日期2019-12-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0224IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;7查看分类表>
申请人国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司申请人地址
北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国家电投集团科学技术研究院有限公司,国家电投集团新能源科技有限公司当前权利人国家电投集团科学技术研究院有限公司,国家电投集团新能源科技有限公司
发明人王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;周永谋;李洋;杨文魁
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)代理人宋合成
摘要
本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括:氢掺杂氧化铟层;TCO接触层,TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此,氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率,其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率,进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率,提升硅异质结太阳电池的使用性能;而且,在硅异质结太阳电池中,TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触,以降低两者之间的接触电阻;再者,轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率,故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。

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