制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池

发明专利无效专利

申请号：
CN201280012301.5
IPC分类号：H01L21/36;H01L21/02
申请日期：
2012-02-22
申请人：
法国圣戈班玻璃厂

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著录项信息

专利名称	制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池
申请号	CN201280012301.5	申请日期	2012-02-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-20	公开/公告号	CN103403851A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/34 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕 H01L21/36 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	法国圣戈班玻璃厂	申请人地址	法国库伯瓦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	法国圣戈班玻璃厂	当前权利人	法国圣戈班玻璃厂
发明人	S.约斯特;J.帕尔姆
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘维升;林森

摘要

本发明涉及制备由Cu2ZnSn(S,Se)4类型的五元锌黄锡矿/亚锡酸盐构成的化合物半导体的方法，该方法包含下面的步骤：制备至少一个前体叠层，所述叠层由第一前体层和第二前体层组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、锌和锡沉积到基体上制备第一前体层，和在第二阶段中，通过将硫属元素硫和/或硒沉积到第一前体层上制备第二前体层；在工艺室中热处理该至少一个前体叠层使得第一前体层的金属和第二前体层的至少一种硫属元素反应性地转化为化合物半导体；在至少一个前体叠层的热处理过程中将至少一种工艺气体供入到工艺室中，其中，如果第二前体层中含有选自硫和硒的硫属元素，则工艺气体中含有相应的其它硫属元素和/或含相应的其它硫属元素的化合物，或者，如果第二前体层中含有两种硫属元素硫和硒，则工艺气体中含有硫和/或硒和/或含硫化合物和/或含硒化合物。另外，本发明涉及基体上带有有五元化合物半导体Cu2ZnSn(S,Se)4组成的吸收体的薄膜太阳能电池，其中该吸收体从半导体表面到基体界面具有不同构型的可预先规定的硫深度分布。

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