半导体传感器及沙林气体或者沙林模拟剂气体的定量检测方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711105899.3
IPC分类号：G01N27/12
申请日期：
2017-11-10
申请人：
中国人民解放军陆军防化学院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体传感器及沙林气体或者沙林模拟剂气体的定量检测方法
申请号	CN201711105899.3	申请日期	2017-11-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-15	公开/公告号	CN108169290A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/12 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	中国人民解放军陆军防化学院	申请人地址	北京市昌平区阳坊镇中心北街1号院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军陆军防化学院	当前权利人	中国人民解放军陆军防化学院
发明人	左国民;高适;张顺平;李丹萍;张立功;张荣;尤立娟;李文丹;赵男
代理机构	北京华进京联知识产权代理有限公司	代理人	王赛

摘要

本发明提供一种半导体传感器，包括敏感材料层，所述敏感材料层包括氧化铟，所述半导体传感器用于定量检测沙林气体或沙林模拟剂气体。本发明还提供一种沙林气体或沙林模拟剂气体的定量检测方法，包括提供所述的任意一种半导体传感器；将所述半导体传感器的敏感材料层暴露在被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体氛围中，加热所述半导体传感器，获取所述半导体传感器在所述被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体氛围中的第一响应值；以及根据获取的所述第一响应值计算所述被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体的浓度。

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