利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00111113.2
IPC分类号：--
申请日期：
2000-05-19
申请人：
山东大学;山东华光光电子有限公司

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著录项信息

专利名称	利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法
申请号	CN00111113.2	申请日期	2000-05-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-11-01	公开/公告号	CN1271967
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	山东大学;山东华光光电子有限公司	申请人地址	山东省济南市山大南路27号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东大学,山东华光光电子有限公司	当前权利人	山东大学,山东华光光电子有限公司
发明人	黄柏标;张兆春;于永芹;崔得良;秦晓燕;潘教青
代理机构	济南三达专利事务所	代理人	刘旭东

摘要

本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容是利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)在GaAs衬底上生长高亮度发光二极管为异质结芯片结构，上限制层生长结束时，继续生长磷化镓GaP窗口层，通过切断和连接镓源及磷源，选用P型掺杂剂在磷化镓窗口层进行δ掺杂，最终达到厚度≤2μm的窗口层，它解决了现有技术存在的生长工艺复杂、生长成本高的缺点，采用本发明，可使发光二极管芯片生长工艺简化，降低生产成本，提高生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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