硅片重金属污染测试参考片修复再生方法和修复再生溶液

发明专利有效专利

申请号：
CN201010523263.2
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/02
申请日期：
2010-10-28
申请人：
上海申和热磁电子有限公司

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著录项信息

专利名称	硅片重金属污染测试参考片修复再生方法和修复再生溶液
申请号	CN201010523263.2	申请日期	2010-10-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-15	公开/公告号	CN102097291A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海申和热磁电子有限公司	申请人地址	上海市宝山区山连路181号1幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海中欣晶圆半导体科技有限公司	当前权利人	上海中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人	包胜娟;吴丽萍
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁;郑暄

摘要

本发明涉及一种硅片重金属污染测试参考片的修复再生溶液，包括A溶液和D溶液，A溶液是30wt％的过氧化氢，D溶液是十二水硫酸铝钾在H2SO4中的溶解液，其中100mlH2SO4中溶解有0.15～0.21g十二水硫酸铝钾，还涉及一种硅片重金属污染测试参考片的修复再生溶液，包括B溶液，B溶液是氟化氨和氢氟酸的混合液，其中1000ml氟化氨中混合有140～200ml氢氟酸，还涉及一种硅片重金属污染测试参考片的修复再生溶液，包括C溶液，C溶液是氢氟酸的水溶液，其中1000ml水中加入有230～300ml氢氟酸，还提供了相关修复再生方法，本发明设计独特，操作简便，效果显著，能解决测试参考片污染后的再处理利用问题，充分满足正常测试使用，而且能够大大降低企业的测试和制造成本，适于大规模推广应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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