一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811500893.0
IPC分类号：H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00
申请日期：
2018-12-07
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法
申请号	CN201811500893.0	申请日期	2018-12-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-23	公开/公告号	CN109671823A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/30 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	王东博;卓宁;张锦川;刘峰奇;王占国
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	张宇园

摘要

本发明公开了一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法。该材料结构包括：掺杂锑源的量子点有源区结构，该量子点有源区结构包括：自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层；进一步包括在衬底上生长缓冲层、下限制层、上述量子点有源区结构和上限制层。利用本发明，在合适的生长条件下掺入锑原子能够与InAs量子点结合，形成InAsSb三元合金，有效收缩能带带隙，扩展InP基量子点材料的发光波长，这一方法对InP基长波长量子点发光及探测器件的制备具有重要的意义。

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