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一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010333514.4
  • IPC分类号:H01L21/335;H01L29/778
  • 申请日期:
    2020-04-24
  • 申请人:
    江苏鲁汶仪器有限公司
著录项信息
专利名称一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法
申请号CN202010333514.4申请日期2020-04-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-10-26公开/公告号CN113555283A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/335IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人江苏鲁汶仪器有限公司申请人地址
江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏鲁汶仪器有限公司当前权利人江苏鲁汶仪器有限公司
发明人谷志强;吴志浩;车东晨;冯英雄;韩大健;蒋中原;吴愧;许开东;胡冬冬
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人唐循文
摘要
一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法,属于半导体加工技术领域。所述GaN基高电子迁移率晶体管异质结包括从上到下依次排列的掩膜材料层、pGaN层、AlGaN层、GaN层和底层材料层,所述方法包括以下步骤:将已经打开掩膜材料层的待刻蚀样品经传送装置传送至反应离子刻蚀机的刻蚀腔,通入第一组刻蚀气体先快速刻蚀大部分pGaN层材料。待第一组刻蚀气体刻蚀结束后,向反应离子刻蚀机的刻蚀腔中通入第二组刻蚀气体慢速刻蚀余下部分pGaN层材料,刻蚀结束后取出样品。本发明所述方法能够选择性刻蚀pGaN并停止在AlGaN层,该刻蚀工艺对AlGaN层的刻蚀量小于2 nm。

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