电流读出电路及忆阻器阵列列电流读出电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202110435435.9
IPC分类号：H03M1/34
申请日期：
2021-04-22
申请人：
中国人民解放军国防科技大学

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专利名称	电流读出电路及忆阻器阵列列电流读出电路
申请号	CN202110435435.9	申请日期	2021-04-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-16	公开/公告号	CN113131939A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03M1/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03M 一般编码、译码或代码转换（用射流方法入F15C 4/00；光学模/数转换器入G02F 7/00；专用于特殊应用的编码、译码或代码转换见有关小类，例如G01D，G01R，G06F，G06T，G09G，G10L，G11B，G11C，H04B，H04L，H04M，H04N；专用于密码技术或涉及需要保密的其他目的的编码或译码入G09C）〔4〕 H03M1/00 模/数转换；数/模转换（模拟值转换到差分调制或相反转换入H03M 3/00）〔4〕 H03M1/12 模/数转换器（H03M 1/02至H03M 1/10优先）〔4〕 H03M1/34 与参考值相比较的模拟值（H03M 1/48优先）〔4〕	IPC分类号	H;0;3;M;1;/;3;4查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科技大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路109号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科技大学	当前权利人	中国人民解放军国防科技大学
发明人	陈长林;王义楠;李清江;王伟;刘森;李智炜;刘海军;宋兵;步凯;王琴;曹荣荣;于红旗;王玺;李楠;徐晖;刁节涛
代理机构	北京超成律师事务所	代理人	暂无

摘要

本申请提供了一种电流读出电路及忆阻器阵列列电流读出电路，其中，电流读出电路包括偏置电路、深度负反馈电路、电流衰减电路和积分点火电路；电流衰减电路分别与偏置电路、深度负反馈电路、积分点火电路连接；深度负反馈电路还与偏置电路连接，并均连接忆阻器阵列电路的列线输出端；偏置电路用于为深度负反馈电路提供合适的偏置；深度负反馈电路用于将忆阻器阵列电路的列线电压进行箝位；电流衰减电路用于将忆阻器阵列电路的列线电流进行预设比例衰减，并将衰减后的电流输入积分点火电路，以使积分点火电路输出数字脉冲信号。本申请能够实现忆阻器阵列电路列电流的高效准确读取，提高基于忆阻器阵列实现乘累加运算的计算准确度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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