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控制半导体光放大器和光放大设备的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810789986.3
  • IPC分类号:H04B10/291;H04B10/293;G02B6/42
  • 申请日期:
    2018-07-18
  • 申请人:
    住友电工光电子器件创新株式会社
著录项信息
专利名称控制半导体光放大器和光放大设备的方法
申请号CN201810789986.3申请日期2018-07-18
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-01-29公开/公告号CN109286444A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04B10/291IPC分类号H;0;4;B;1;0;/;2;9;1;;;H;0;4;B;1;0;/;2;9;3;;;G;0;2;B;6;/;4;2查看分类表>
申请人住友电工光电子器件创新株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电工光电子器件创新株式会社当前权利人住友电工光电子器件创新株式会社
发明人寺西良太
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人李铭;陈源
摘要
本发明公开了一种控制光放大系统的方法,其处理具有PAM4模式的光信号。光放大系统包括可变光衰减器(VOA)和半导体光放大器(SOA)。VOA衰减光信号使得对应于PAM4信号的物理层级之一的该光信号的最大光功率变为等于预设光层级,SOA针对该预设光层级可以线性操作。SOA可以因此利用固定的光增益来放大经过衰减的光信号。

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