具有刷新型存储单元阵列的半导体存储装置及其操作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00132395.4
IPC分类号：G11C11/401;G11C11/406
申请日期：
2000-11-10
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	具有刷新型存储单元阵列的半导体存储装置及其操作方法
申请号	CN00132395.4	申请日期	2000-11-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-01-16	公开/公告号	CN1331472
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/401 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;1;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;6查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金昌来;朴钟烈;郑珉喆;韩相集
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	马莹

摘要

一种半导体存储装置及其操作方法。该存储装置使用刷新型存储单元。在读/写周期中，用零写入恢复时间完成刷新和连续读/写操作。在读/写周期变得很长上时，在读写周期期间执行多次刷新操作。因此该装置操作没有最大写周期时间限制。该方法利用外部写命令储存地址和数据到寄存器而不是存储单元阵列中。当外部写命令发数据存在的信号时，需要零写入恢复时间，而不管外部写需要多长时间完成。在外部写命令结束之后的一时间内，短脉动写操作把数据转移到存储单元阵列。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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