用于霍尔效应器件的半导体堆叠

发明专利有效专利

申请号：
CN202110184346.1
IPC分类号：H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
申请日期：
2021-02-10
申请人：
迈来芯电子科技有限公司

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专利名称	用于霍尔效应器件的半导体堆叠
申请号	CN202110184346.1	申请日期	2021-02-10
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-17	公开/公告号	CN113270541A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/06 霍尔效应器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;6;;;H;0;1;L;4;3;/;0;4;;;H;0;1;L;4;3;/;1;4查看分类表>
申请人	迈来芯电子科技有限公司	申请人地址	瑞士伯韦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	迈来芯电子科技有限公司	当前权利人	迈来芯电子科技有限公司
发明人	何冠霆;L·巴尔比
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	李炜;黄嵩泉

摘要

本申请公开了用于霍尔效应器件的半导体堆叠。一种用于霍尔效应器件的半导体堆叠(100)，包括：底部势垒(140)，该底部势垒(140)包括AlxGa1‑xAs；沟道(130)，该沟道(130)包括InyGa1‑yAs，该沟道(130)在该底部势垒(140)上；沟道势垒(120)，该沟道势垒(120)具有至少2nm且小于或等于15nm的厚度，并且该沟道势垒(120)至少包括第一层(121)，该第一层(121)包括AlzGa1‑zAs，其中0.1≤z≤0.22，其中该第一层(121)具有至少2nm的厚度，其中该底部势垒(140)和该第一层(121)的导带底高于该沟道(130)的导带底；掺杂层(112)，该掺杂层(112)包括成分Al、Ga和As并且掺杂有n型材料；顶部势垒(111)，该顶部势垒(111)包括成分Al、Ga和As。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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