采用Ta2O5薄膜作为电介质膜的Ta2O5电容器的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00135507.4
IPC分类号：--
申请日期：
2000-11-09
申请人：
现代电子产业株式会社

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著录项信息

专利名称	采用Ta2O5薄膜作为电介质膜的Ta2O5电容器的制造方法
申请号	CN00135507.4	申请日期	2000-11-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-05-16	公开/公告号	CN1295341
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	现代电子产业株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	现代电子产业株式会社	当前权利人	现代电子产业株式会社
发明人	李起正;朱光喆
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	杨梧

摘要

一种半导体器件的电容器的制造方法，采用Ta2O5薄膜作为电介质膜，提高泄漏电流特性和介电特性。该方法包括以下工序：提供半导体衬底，其上形成有预定的下部图形，覆盖有层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成电容器下部电极；对所述下部电极表面进行氮化处理；在所述表面氮化处理后的下部电极上蒸镀非晶态Ta2O5薄膜作为电介质膜；依次进行针对所述非晶态Ta2O5薄膜的低温退火和高温退火；在由所述Ta2O5薄膜构成的电介质膜上形成电容器上部电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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